RGT50NS65DGTL دیتاشیت

RGT50NS65DGTL

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RGT50NS65DGTL
حجم فایل 85.792 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت RGT50NS65DGTL

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: Trench Field Stop
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Datasheet: ROHM Semicon RGT50NS65DGTL
  • Operating Temperature: -40°C~+175°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 48A
  • Power Dissipation (Pd): 194W
  • Input Capacitance (Cies@Vce): -
  • Turn?on Switching Loss (Eon): -
  • Pulsed Collector Current (Icm): 75A
  • Diode Reverse Recovery Time (Trr): 58ns
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 650V
  • Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): -
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه